| Напружанне - калектар-эмітар Разбіўка (Макс): | 15V |
|---|---|
| тып Transistor: | NPN |
| Пастаўшчык Камплект прылад: | SOT-89 |
| серыя: | - |
| Магутнасць - Макс: | 2W |
| ўпакоўка: | Bulk |
| Упакоўка /: | TO-243AA |
| Працоўная тэмпература: | 150°C (TJ) |
| Каэфіцыент шуму (дб Typ @ F): | 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| тып ўстаноўкі: | Surface Mount |
| каэфіцыент узмацнення: | 8.3dB |
| Частата - пераход: | - |
| DC каэфіцыент узмацнення па току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 50mA, 10V |
| Ток - калектар (Ic) (Макс): | 250mA |
NE46134-T1-QS-AZ
SAME AS 2SC4536 NPN SILICON MEDI
NE46134-T1
TRANS NPN 1GHZ SOT-89
NE46134-AZ
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
NE461M02-T1-AZ
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
NE461M02-T1-QS-AZ
SAME AS 2SC5337 NPN SILICON MEDI
NE461M02-T1-QR-AZ
SAME AS 2SC5337 NPN SILICON MEDI
NE46234-AZ
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
NE46234-SE-AZ
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
NE46134-T1-AZ
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
NE46134-T1-QR-AZ
SAME AS 2SC4536 NPN SILICON MEDI
AK-890
AK-890 RS232 PKG
PEA-QIQ-OPTP-FL
QORIQ OPTIMIZATION SUITE
EM35X-DEV-UPG-IAR
IAR EWARM LICENCE FOR EM35X
DB104S-G
RECTIFIER BRIDGE 1A 400V DBS
G2SB80-E3/45
DIODE GPP 1.5A 800V GBL
VUO190-14NO7
RECT BRIDGE 3PH 1400V PWS-E-1
MSD200-08
DIODE BRIDGE 3PH 800V 200A SM3
VUO52-12NO1
RECT BRIDGE 3PH 54A 1200V V1-A
VS-60MT100KPBF
MODULE 1000V 60A 3-PHASE MTK
GBPC2506T
DIODE BRIDGE 600V 25A GBPC-T/W
