BSC059N04LSGATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8
Свінец / Адпавядае RoHS
дыскрэтныя паўправаднікі
BSC059N04LSGATMA1.pdf

дэталі № BSC059N04LSGATMA1 даступныя, глядзіце апісанне BSC059N04LSGATMA1 ніжэй.
скарыстайцеся формай запыту, каб запытаць кошт BSC059N04LSGATMA1 і час выканання.
Купляйце электронныя кампаненты ў zeanoit.com. Мы - незалежны дыстрыбутар электронных кампанентаў з вялікім запасам на складзе.
Кошт і час выканання заказу на BSC059N04LSGATMA1 залежаць ад неабходнай колькасці, наяўнасці і размяшчэння склада. Звяжыцеся з намі сёння, і ў бліжэйшы час наша каманда па продажы адправіць вам каціроўку.
Электронная пошта: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Мінімум:1; Некалькі:1; Manufacturer lead time 10 weeks

цана
5000	$0.298
10000	$0.287

спецыфікацыі
Водгукі
Аплата
Дастаўка
Ўпакоўка

Vgs (й) (Max) @ Id:	2V @ 23µA
Vgs (Макс):	±20V
тэхналогія:	MOSFET (Metal Oxide)
Пастаўшчык Камплект прылад:	PG-TDSON-8
серыя:	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	5.9 mOhm @ 50A, 10V
Рассейваная магутнасць (макс):	2.5W (Ta), 50W (Tc)
ўпакоўка:	Tape & Reel (TR)
Упакоўка /:	8-PowerTDFN
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тып ўстаноўкі:	Surface Mount
Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds:	3200pF @ 20V
Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs:	40nC @ 10V
тып FET:	N-Channel
FET Feature:	-
Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On):	4.5V, 10V
Drain да крыніцы напружання (VDSS):	40V
Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:	16A (Ta), 73A (Tc)